根据外媒消息，SK 海力士将在 ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路大会）发布两款 DRAM 芯片，其中包含 12 层堆叠的 HBM3 高速内存。

SK 海力士于 2021 年首次推出了12 层 HBM3 内存，速度达到了 820GB/s。而本次新推出的这款内存，将采用 TSV 硅通孔工艺制造，单颗最大容量可达 24GB。目前这类产品在服务器 CPU 中有应用，与处理器核心紧密封装在一起，实现高速率。海力士还表示，这款芯片使用了自动校准和机器学习优化技术。ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举办，届时 SK 海力士的高管将介绍更详细的内容。